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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:MEIWAFOSIS日本碳涂布機(jī)

  • 產(chǎn)品型號(hào):CADE-4T
  • 產(chǎn)品廠商:MEIWAFOSIS日本
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡(jiǎn)單介紹:
氣相沉積源為超高純度(99.995%)碳纖維, 非常適合SEM觀察、EDS分析、FIB保護(hù)膜等各種分析。
詳情介紹:

現(xiàn)在可以在相同真空下涂覆兩次的“4端子型號(hào)”(CADE-4T)

碳涂布機(jī)(CADE)的圖像

無間隙涂層可防止充電,并且來自兩個(gè)氣相沉積源的薄膜沉積改善了碳顆粒的周長(zhǎng)。
薄膜和厚膜控制可防止W庫損壞,也是FIB保護(hù)膜的理想選擇。
可以在同一個(gè)真空中形成彼此重疊的薄膜,從而更容易形成厚薄膜。

相同真空+親水處理功能下的碳沉積(CADE-E)

CADE-E具有等離子體處理功能。 由于等離子體處理和碳?xì)庀喑练e可以在同一真空中進(jìn)行,因此涂層后的親水處理可以在連續(xù)過程中進(jìn)行。
樣品表面可在碳包覆前通過等離子放電進(jìn)行清洗,碳包覆后可對(duì)碳支撐膜進(jìn)行親水處理。 由于樣品可以在相同的真空下進(jìn)行處理,而無需裝載或卸載,因此可以在不與大氣接觸的情況下進(jìn)行涂層,并且可以進(jìn)行無污染的分析。

碳涂布機(jī)(CADE)同一真空下的碳?xì)庀喑练e+親水處理功能圖

使用超純(99.995%)碳纖維進(jìn)行無雜質(zhì)分析

碳纖維是一種由石墨纖維制成的定制產(chǎn)品,經(jīng)過2000°C的高溫處理,已*大限度地消除雜質(zhì)。 纖維是超細(xì)、柔軟的編織纖維,待沉積的碳顆粒涂有細(xì)粒徑。
此外,CADE還實(shí)現(xiàn)了預(yù)熱功能,允許在沉積前進(jìn)行10秒的低溫加熱,以完全消散纖維中殘留的痕量雜質(zhì),從而產(chǎn)生更純凈的沉積源。
此外,由于纖維只使用一次,因此沒有雜質(zhì)殘留。 它是各種分析的理想選擇,例如 SEM 觀察、EDS 分析和 FIB 保護(hù)膜。

碳涂布機(jī)(CADE)的碳?xì)庀喑练e圖像

與機(jī)械筆碳涂布機(jī)的比較

機(jī)械筆的筆芯含有油和其他材料的混合物,便于書寫。
在進(jìn)行元素分析時(shí),如果混合了另一種元素,則無法確定它是否是從Mr./Ms.衍生的元素,并且很難進(jìn)行定量分析。
CADE的碳纖維由高純度纖維制成,預(yù)熱可去除雜質(zhì)并提高純度,從而沉積*佳薄膜以供分析。

碳涂布機(jī)(CADE)與機(jī)械筆式氣相沉積源的碳?xì)庀喑练e對(duì)比圖

低電流、短時(shí)間涂層,無熱損傷

由于CADE的氣相沉積源是纖維狀的,因此電流容易流動(dòng),并且可以涂覆低電流(約35A)和短時(shí)間(1.7秒)。 在碳纖維棒類型中偶爾會(huì)看到由火花引起的熱損傷,但 CADE 在碳纖維燒毀之前通過計(jì)時(shí)器控制來防止它。

碳棒類型的問題

碳涂布機(jī)(CADE)棒狀圖像

× 設(shè)置難以設(shè)置且容易
折斷的桿時(shí)要小心,因?yàn)槿绻麛Q緊松動(dòng),零件的阻力會(huì)很強(qiáng),會(huì)儲(chǔ)存熱量,如果擰得太緊,芯子會(huì)斷裂。 此外,在設(shè)置時(shí)需要時(shí)間和精力來磨練它。

× 由于涂層過程中產(chǎn)生火花而拉扯的熱損傷
棒不易傳遞熱量,必須承受大電流,從而導(dǎo)致樣品的熱損傷。

× 涂覆后,氧化雜質(zhì)殘留在剩余的碳棒上一旦凝固,可多次使用,但每次更換拉/拉搓時(shí),氧化物殘留在剩余的碳棒上,
導(dǎo)致含有雜質(zhì)的薄膜不均勻且不可重復(fù)。

整個(gè)過程只需5分鐘即可完成

氣相沉積源的碳纖維的附著就像在電極之間夾住它一樣簡(jiǎn)單。 柔軟的纖維使其易于操作,只需輕輕一按即可安裝。
此外,還使用了 136 l/min 的大型真空泵,可以在很短的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行加工。

碳涂布機(jī)(CADE)全過程 圖像

高度可重復(fù)的一次性涂層

可重復(fù)的膜厚可以通過真空和樣品臺(tái)距離輕松控制。 此外,CADE具有1.7秒的恒定涂層時(shí)間,因此通過預(yù)先確定真空度和載物臺(tái)距離,具有高度的可重復(fù)性,無論誰進(jìn)行加工,都可以達(dá)到相同的膜厚。
* 由我們的 FS-1 橢圓儀測(cè)量的結(jié)果

碳涂布機(jī)(CADE)薄膜厚度指數(shù)圖

用于測(cè)量的多光譜橢圓儀

橢圓計(jì)
  • 四色LED光源和用于橢偏光譜分析的**新MWE技術(shù)
  • 埃納米薄膜的薄膜測(cè)量
  • 安裝在MBE、MOCVD、CVD、ALD、濺射等上,對(duì)氣相沉積薄膜進(jìn)行原位高速測(cè)量和評(píng)估
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